13007d三极管管脚图
13007d三极管管脚图如下: 三极管的1是基极、2是集电极、3是发射极。 扩展资料:三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。 当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能.如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。fT称作增益带宽积,即fT=βfo。若已知当前三极管的工作频率fo以及高频电流放大倍数,便可得出特征频率fT。随着工作频率的升高,放大倍数会下降.fT也可以定义为β=1时的频率.
13007管脚图参数
正视。从左向右 B,C,E:三极管的B是基极、C是集电极、E是发射极。 三极管13007的参数: 集电极-基极最高耐压VCBO=500V 集电极-发射极最高耐压VCEO=400V 发射极-基极最高耐压VEBO=9V 集电极电流IC=0.3A 耗散功率PC=7W 扩展资料: 三极管(也称晶体管)在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称。 可以看到,虽然都叫三极管,其实在英文里面的说法是千差万别的,三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。 电子三极管 Triode (俗称电子管的一种) 双极型晶体管 BJT (Bipolar Junction Transistor) J型场效应管 Junction gate FET(Field Effect Transistor) 金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称 V型槽场效应管 VMOS (Vertical Metal Oxide Semiconductor 参考资料:百度百科三极管
13005三极管的详细参数?
13005是NPN型高反压开关三极管。 MJE13005详细参数有: 集电极-基极最高反向耐压VCBO:700V 集电极-发射极最高反向耐压VCEO:400V 发射极-基极最高反向耐压VEBO:9V 集电极最大允许电流ICM:5A 集电极最大耗散功率PCM:75W 最高工作结温TJM:150℃ 贮存温度TSTG:-65~150℃ 集电极-基极截止电流ICBO:100μA (VCB=700V) 其他主要电气参数:直流电流增益(Vce=5V,Ic=1000mA),10(最小值)~40(典型值),集电结饱和压降(IC=2000mA,IB=500 mA)0.6V。 扩展资料: 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把正块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种, 从三个区引出相应的电极,分别为基极b发射极e和集电极c。 发射区和基区之间的PN结叫发射结,集电区和基区之间的PN结叫集电结。基区很薄,而发射区较厚,杂质浓度大,PNP型三极管发射区"发射"的是空穴,其移动方向与电流方向一致,故发射极箭头向里。 NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子,其移动方向与电流方向相反,故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 参考资料:百度百科—三极管
三极管(13001)用什么常见的型号可以代替
1300系列的所有三极管都可以代替13001,还有就是普通的BU406等等都行,只要参数满足的都可以,比如Vceo=500V的管子,集电极电流在500mA的NPN管子都行。【摘要】
三极管(13001)用什么常见的型号可以代替【提问】
1300系列的所有三极管都可以代替13001,还有就是普通的BU406等等都行,只要参数满足的都可以,比如Vceo=500V的管子,集电极电流在500mA的NPN管子都行。【回答】
MJE13001是硅NPN型小功率高压高速开关三极管,其主要参数如下:C-B极最高耐压:Vcbo=500VC-E极最高耐压:Vceo=400VE-B极最高耐压:Vebo=9V集电极电流:Ic=0.3A耗散功率:PC=7W直流放大系数:HFE=8~40典型应用:荧光灯镇流器封装形式:TO-92【回答】
三极管替换要看被替换的三极管的作用和产品参数。当电路使用三极管时,并不是利用三极管所有的参数,而是只利用其中部分参数,所以替换原则第1就是看功用。例如用于高频小信号放大的三极管,主要看三极管的使用频率,其次看放大倍数;如果是用做低频大功率放大,主要就看三极管的功率、Uce、(耐压)Ice(最大电流),其次看三极管的频率。总之,不同用途的三极管代换原则是不一样的。【回答】
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