什么是巨磁电阻效应的两电流模型
提示：
巨磁电阻大小与什么有关？
提示：
什么是巨磁电阻效应的两电流模型
巨磁阻效应是一种量子力学和凝聚态物理学现象，磁阻效应的一种，可以在磁性材料和非磁性材料相间的薄膜层（几个纳米厚）结构中观察到。这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关，两层磁性材料磁化方向。 电子除携带电荷外，还具有自旋特性，自旋磁矩有平行或反平行于外磁场两种可能取向。 在过渡金属中，自旋磁矩与材料磁场方向平行的电子的散射概率远低于自旋磁矩与材料磁场方向相反的电子的散射概率。总电流是两种自旋电流的总和。总电阻是两种自旋电流的并联电阻，称为双电流模型。 扩展资料 在铁磁／非铁磁／铁磁金属的三层或多层纳米结构中发现了巨磁电阻效应。该结构材料的电阻值与铁磁材料薄膜层的磁化方向有关。两层磁性材料在相反磁化方向的电阻值明显大于相同磁化方向的电阻值。在很弱的外磁场中电阻可以产生很大的变化。 参考资料来源：百度百科-超巨磁阻效应
巨磁电阻大小与什么有关？
附近的磁场的（磁感应）强度有关。
巨磁电阻是指用微弱的磁性变化即能引磁性材料电阻值的急剧变化。利用这一特性，人们制造出大容量的硬盘，由于现在电脑硬盘的储存容量要求越来越大，众所周知，硬盘在读取数据时是利用磁头掠过盘片表面而读取其磁场信号的，要在相同面积的盘片上储存更多容量，则要求有盘片要有更多的磁道，磁道越多越密则其磁场信号就越弱，若磁头读取信号的方式不革新的话则很难容纳更多容量，而采用巨磁电阻技术的硬盘由于它对于信号的读取非常灵敏，故能划出更多的磁道，容量也就能做得更大了。利用巨磁电阻效应还能制造出巨磁电阻位移传感器和角速度传感器等。其应用范围会越来越广。